Spécifications techniques
Général
Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Interface
PCIe 3.1 x4 (NVMe)
Caractéristiques
InnoGrit IG5216, NVM Express (NVMe) 1.4, prise en charge TRIM, Wear Leveling Support, Ultra-efficient Block Management, S.M.A.R.T.
Performances
Débit de transfert interne
3450 Mo/s (lecture) / 2400 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko
188000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko
156000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces
1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Card
Alimentation
Consommation électrique
2822 mW (lecture) ¦ 1056 mW (inactif) ¦ 2970 mW (écriture)
Divers
Normes de conformité
FCC, RoHS, UKCA
Dimensions et poids (emballé)
Garantie du fabricant
Service et maintenance
Garantie limitée - 3 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Température de stockage mini
-40 °C
Température de stockage maxi
85 °C
Taux d'humidité en fonctionnement
5 - 95 % (sans condensation)
Résistance aux chocs (au repos)
1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (au repos)
20 g @ 10-2000 Hz
